氮化鎵GaN和碳化硅同屬于第三代半導(dǎo)體材料。為了區(qū)別于氮化鎵已經(jīng)形成的LED產(chǎn)業(yè)，在產(chǎn)業(yè)中有人用第三代半導(dǎo)體指代除LED之外的第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)用（可憐的LED被第三代半導(dǎo)體除名了，誰讓你總是光芒四射呢，當(dāng)然我們也可以理解為人家自立門戶去了，反正當(dāng)今LED主要的產(chǎn)業(yè)聚集在中國,世界LED聯(lián)盟的主席是中國人）。除了，氮化鎵和碳化硅，第三代半導(dǎo)體材料還包含ZnO，GaO氧化鎵等。

既然LED已經(jīng)離三代半導(dǎo)體陣營而去了，我們在這里就不再敘述了，如果哪天大家有興趣，我可以抽時間把中國近15年的發(fā)展史給大家專門奉上。那其中的諸侯紛爭絕對可以做一本中國半導(dǎo)體照明戰(zhàn)爭史。

第三代半導(dǎo)體能做啥？

以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體具備優(yōu)異的材料物理特性，為進一步提升電力電子器件的性能提供了更大的空間。

下圖是Si、GaN、SiC以及GaAs材料基本物理性質(zhì)、以及多坐標(biāo)對比。如果你看不懂沒關(guān)系，這只是給大家分享一點直觀的數(shù)據(jù)。

表1， 三代四種半導(dǎo)體材料的基本物理參數(shù)

Si, GaAs和GaN三代半導(dǎo)體材料的多坐標(biāo)物理性能對比。

Si與GaN器件的電源系統(tǒng)效率比較。

看了上面的介紹，現(xiàn)在要講到關(guān)鍵問題了，就是這玩意兒到底用在哪里？有什么優(yōu)勢呢？為什么政府、科研、產(chǎn)業(yè)、資本都對它趨之若鶩。