流入電流測量：
由于超級電容表現出明顯的非傳導性介質特性，所以測量實際的自放電或者自漏電數值是比較困難的。當一只超級電容被充電至工作電壓的過程中，流入電流是很大的，并且逐步變小。此時流入電流是介質吸收電流與電容漏電流之和。介質吸收電流是作為能量儲存，但深度存儲需要比較長的時間，電容的流入電流與時間是對數關系，具體如下表所示。
只有當介質吸收電流為0時，此時的流入電流才是漏電電流，這大概需要連續(xù)充電100個小時才能達到，此時漏電流大概為幾微安。在這個點以后，為了繼續(xù)測量流入電流，需要使用一只準確的微伏表與一只比較大的電阻，數值參看上圖。
直流阻抗與交流阻抗測量：
串聯等效阻抗或者交流阻抗可以通過LCR電橋在1kHz下進行測量。這種方法測量的結果是比較準確的。另外一種方法是測量所謂的直流阻抗，可以用同一種儀器，但這種方法測量的結果是不準確的，誤差比較大。
下圖是用電容容量測量電路獲得的充電電壓曲線，起始階段的局部放大圖如下圖所示，當用1A的電流進行充電時，瞬間發(fā)生的電壓階躍可以被用來計算交流內阻，直流內阻或者DC阻抗等于階躍電壓值除以1A的電流，對于內阻很低的電容，可以用更大的電流進行測量。
在這個示例中，內部阻抗=初始電壓階躍/充電電流=0.15V/1A=0.15Ω，研究得出，直流阻抗是交流阻抗的1.1至1.5倍之間。
