圖5調試后2.55GHz近場輻射結果

接下來針對2.2GHz頻點處輻射雜散的裕量不足，可先用N9311X 套件中的低靈敏度磁場環(huán)形探針以及來掃描及點測手機的近場雜訊，如圖6所示發(fā)現(xiàn)該頻率以及750MHz的信號最強近場輻射區(qū)域集中在PCB的下半部分其中一個電源網絡，此電源網絡會經過較多高頻成分的芯片以及雜訊較多的LED以及按鍵區(qū)域。經過查閱電源和芯片文檔得知其開關頻率的大約為1.9M，該頻率成分的電源噪聲會在調制過程中頻移到信號頻率兩側。然而由于使用較低靈敏度的探頭智能確定處板上下半部分都是可能的輻射雜散信號源，卻無法定位精確的位置。此時我們需要進一步使用套件中精度更高的磁場環(huán)形探頭或者垂直向磁場探頭來確定最強區(qū)域。最終發(fā)現(xiàn)在750MHz+/-17MHz在紅色框標示區(qū)域最強。測試結果請參考圖7所示，此處750MHz附近的近場輻射為-83.21dBm，2.25GHz處最大近場輻射為-44.18dBm。

圖7  調試前750MHz及2.25GHz近場輻射測試結果

由于2.25GH大約是750MHz的三次諧波，因此我們首先針對750MHz做濾波設計。為了克服這種干擾應該對基帶信號加以濾波，阻止高頻成分傳播和搬移。如圖8所示是一種推薦電路，其中電容C1、C2和L2可作為備選，將此電路加在圖6黃色框圖標示的電源入射端口附近做濾波。

采用此濾波方案后的再進行近場掃描Max Hold的結果可參考圖9所示近場輻射結果，此處750MHz附近的近場輻射已經下降到了-92.42dBm，2.25GHz處最大近場輻射下降到了-53.08dBm：

圖9  調試后750MHz及2.25GHz近場輻射測試結果

最后我們再進入暗室完成一次全頻帶范圍內的輻射雜散掃描和傳導掃描，最終結果請參考圖10和圖11所示。可以看出輻射雜散結果有明顯改善，同時傳導輻射也有所改善。

圖11  調試后傳導輻射測試結果