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電動(dòng)汽車逆變器用IGBT驅(qū)動(dòng)電源可用性測(cè)試


時(shí)間:2018-06-19 編輯:甘立人
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二、后級(jí)電源無需解決反饋問題,采用開環(huán)控制,避免了隔離信號(hào)反饋的麻煩。因?yàn)槌擞密囋O(shè)備的工況惡劣,工作溫度變化范圍非常大,傳統(tǒng)的線性光耦等器件受溫漂影響精度大幅降低,溫漂補(bǔ)償器件又成本很高,這種方式有效避免這一弊端。

2.2 后級(jí)半橋開關(guān)電源設(shè)計(jì)

前級(jí)電源屬于典型定壓設(shè)計(jì),無需給出設(shè)計(jì)原理,本文重點(diǎn)介紹后級(jí)半橋電路。具體原理圖見圖2和圖3。圖2為采用汽車級(jí)定時(shí)器電路設(shè)計(jì)的50%占空比信號(hào)發(fā)生器,用于給半橋開關(guān)電源提供控制信號(hào),其中R49可以用來調(diào)整開關(guān)頻率,一般可以設(shè)定在70kHz300kHz之間,頻率選擇主要根據(jù)電路板實(shí)際空間尺寸和變壓器的伏秒積進(jìn)行折衷選取。

從變壓器計(jì)算伏秒積的公式為:

ET=V*D/f_sw4

V為加在變壓器上的電壓,D是占空比,f_sw是開關(guān)頻率。本設(shè)計(jì)選擇了一顆ET值達(dá)44Vusec的變壓器,因此開關(guān)頻率設(shè)置較低,為120kHz。


250%占空比信號(hào)發(fā)生電路

3為半橋開關(guān)電源電路。此電路采用一顆IR的汽車級(jí)半橋芯片IRS2004S作為驅(qū)動(dòng),并聯(lián)兩個(gè)由Infineon BSR302N組成的并聯(lián)半橋電路。采用匝比為11.25的通用變壓器,經(jīng)過倍壓整流得到+15V電壓,經(jīng)過普通整流得到-8V電壓。每個(gè)變壓器用于給一個(gè)IGBT驅(qū)動(dòng)供電。在變壓器原邊串聯(lián)入汽車級(jí)EMC磁珠,可以有效抑制開關(guān)產(chǎn)生的電壓尖峰,器件具體信息見附錄表1。IGBT門極是一種容性負(fù)載,每次開關(guān)都伴隨著較高瞬態(tài)電流,即前文計(jì)算的峰值驅(qū)動(dòng)電流,因此需要一種紋波電流能力強(qiáng)的長壽命電容,每路電源采用4.7uF X7R汽車級(jí)多層陶瓷電容,實(shí)現(xiàn)瞬態(tài)電壓支撐。X7R多層陶瓷電容具有封裝小,ESR低,允許紋波電流大,溫度降低容量衰減少等優(yōu)點(diǎn)。


3:半橋開關(guān)電源電路原理圖

3.測(cè)試結(jié)果

實(shí)際測(cè)試條件為,后級(jí)輸入定電壓16.5V,輸入電流0.67AIGBT開關(guān)頻率10kHz,信號(hào)為SVPWM,開關(guān)電源工作頻率120kHz,室溫條件。經(jīng)簡(jiǎn)單計(jì)算可知,每路功耗1.84W,與理論計(jì)算相符合。

選取高占空比和低占空比兩個(gè)工況,觀察相關(guān)信號(hào)的波形,見圖4和圖5。其中橙色的1通道顯示低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)輸入信號(hào),粉色2通道顯示-8V電源輸出端的波形,藍(lán)色3通道顯示+15V電源輸出端波形,綠色4通道顯示門極輸出波形。

IGBT開通時(shí)刻,由于電源電容電荷迅速通過門極電阻轉(zhuǎn)移到門極,時(shí)間一般只有1~3us,產(chǎn)生+15V電源上的電壓跌落,但是很快就可以恢復(fù)到平臺(tái)電壓。同理,在IGBT關(guān)斷時(shí)刻,也會(huì)使-8V電源產(chǎn)生電壓跌落。這種跌落是不會(huì)引起IGBT開通或關(guān)斷的不良反應(yīng),因此是可以接受的。對(duì)比圖4和圖5也能夠發(fā)現(xiàn),占空比大小不會(huì)影響電壓跌落的幅值和持續(xù)的時(shí)間,這是因?yàn)?/span>IGBT的門極是容性負(fù)載。

4和圖5中還能看到,在IGBT關(guān)斷時(shí)刻使開通電壓波形產(chǎn)生了一個(gè)的尖峰,由于此時(shí)開通電壓電源處于瞬時(shí)空載狀態(tài),不會(huì)對(duì)驅(qū)動(dòng)控制產(chǎn)生影響。整體上看,原邊的低壓弱電信號(hào)和副邊的低壓強(qiáng)電信號(hào)都沒有受到開關(guān)電源自身開關(guān)頻率上的干擾。


4:高占空比波形圖

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