微電子技術(shù)是MEMS技術(shù)的重要基礎(chǔ)，其加工手段是MEMS技術(shù)重要加工手段之一。MEMS也有它自己的特點(diǎn)，如工藝多樣化，能制作梁、隔膜、凹槽、孔、密封洞、錐、針尖、彈簧及所構(gòu)成的復(fù)雜機(jī)械結(jié)構(gòu)，同時(shí)它能與微電子工藝兼容，器件實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)，成本降低。MEMS技術(shù)幾乎可應(yīng)用到各個(gè)領(lǐng)域，尤其是要求小尺寸、高精度、高可靠性及低功耗的高科技領(lǐng)域。

3 MEMS技術(shù)在非制冷紅外探測(cè)器中的應(yīng)用

近年來(lái)，MEMS技術(shù)得到了迅速發(fā)展，將其應(yīng)用于非制冷紅外探測(cè)器有了比較成功的例子，為現(xiàn)有單元器件小型化和高密度陣列集成開(kāi)辟了一條新的途徑。

3．1微機(jī)械紅外熱電堆探測(cè)器

紅外熱電堆探測(cè)器的工作原理為塞貝克效應(yīng)（Seebeckeffect）。早先的紅外熱電堆探測(cè)器是利用掩膜真空鍍膜的方法，將熱電偶材料沉積到塑料或陶瓷襯底上獲得的，但器件的尺寸較大，且不易批量生產(chǎn)。隨著MEMS技術(shù)的應(yīng)用，出現(xiàn)了微機(jī)械紅外熱電堆探測(cè)器。K．D．Wise等人，最先利用MEMS技術(shù)于20世紀(jì)80年代初制造獲得了硅基紅外熱電堆探測(cè)器。

微機(jī)械紅外熱電堆芯片的基本結(jié)構(gòu)如圖1所示‘刮。器件制作一般采用體硅，從硅片背面利用硅的各向異性腐蝕而得到呈金字塔型的腐蝕孔，側(cè)壁為慢腐蝕面（111）?，F(xiàn)在主要通過(guò)薄膜結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)熱結(jié)區(qū)與冷結(jié)區(qū)的隔熱結(jié)構(gòu)。應(yīng)用的薄膜結(jié)構(gòu)有兩類，即封閉膜結(jié)構(gòu)（圖1（a））和懸梁結(jié)構(gòu)（圖1（b）），其中封閉膜是指熱堆的支撐膜為整層的復(fù)合介質(zhì)膜，一般為氮化硅膜或氮化硅與氧化硅復(fù)合膜。懸梁則是指周圍為氣氛介質(zhì)所包圍，一端固支、一端懸空的膜結(jié)構(gòu)。從隔熱效果來(lái)說(shuō)，懸梁比封閉膜更具優(yōu)勢(shì)，因?yàn)樵诜忾]膜結(jié)構(gòu)中熱可以沿著介質(zhì)支撐膜傳播，而并不完全沿著熱偶對(duì)傳播，使熱耗散較大，熱電轉(zhuǎn)換效率低，靈敏度小。但從工藝制造過(guò)程以及成品率角度來(lái)說(shuō)，封閉膜更具優(yōu)勢(shì)，因?yàn)檫@種膜結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)在于結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，由于膜與基體處處相連，因此受應(yīng)力影響小，制造過(guò)程中膜本身不易破裂，成品率高，易制造而懸梁與基體間只通過(guò)固支一端相連，另一端懸空，因此受應(yīng)力的影響顯著，制造過(guò)程中膜容易發(fā)生翹曲或破裂，故成品率較低，不易制造。

現(xiàn)在許多研究團(tuán)體正致力于微機(jī)械紅外熱電堆陣列的研究，而硅基熱電堆是其中的研究熱點(diǎn)，如多晶硅／金熱偶線陣列、硅／鋁熱偶線陣列、n型多晶硅／p型多晶硅熱偶面陣列。與一般的紅外探測(cè)器相比，微機(jī)械紅外熱堆探測(cè)器的優(yōu)點(diǎn)在于：①具有較高的靈敏度，寬松的工作環(huán)境與非常寬的頻譜響應(yīng)：②與標(biāo)準(zhǔn)IC工藝兼容，成本低廉且適合批量生產(chǎn)。