在單晶爐、外延片生長、高溫沉積或刻蝕等設備中，對晶體和晶圓的溫度控制至關重要，并且要求溫度分布高度均勻。半導體工藝過程需要在密閉腔體內進行，使用玻璃窗口與空氣隔絕。傳統(tǒng)的長波紅外熱像儀檢測7~15μm的紅外線，無法透過玻璃窗口進行觀測。巨哥科技的短波紅外熱像儀感應0.9~2.5μm波長的紅外線，可透過玻璃窗口實時觀測目標，獲得全畫面的溫度分布信息。相比長波熱像儀，短波熱像儀受目標的表面狀態(tài)和發(fā)射率影響小，測溫準確度更高，適合檢測溫度較高的目標場景。

SW320短波紅外熱像儀

五：中長波紅外熱像儀

中長波熱像儀在半導體領域常用于晶圓、芯片、封裝體的熱圖分析和失效點定位。巨哥科技提供一系列響應波長、靈敏度和分辨率的中長波紅外熱像儀，滿足不同場合的成像和測溫需求。F6非制冷長波紅外熱像儀在0~500℃寬測溫范圍內測溫準確度優(yōu)于±0.7℃/0.7%。在真空或高氣壓環(huán)境(4atm)，或在高能激光（<2μm）環(huán)境中，F(xiàn)6均能準確測溫。物體在低溫時的輻射能量很低，普通熱像儀的測溫誤差大幅增加，F(xiàn)6在真空環(huán)境下可實現(xiàn)-80℃甚至更低溫度的測溫。F7中波制冷型熱像儀采用InSb探測器，靈敏度優(yōu)于20mK，測溫穩(wěn)定性優(yōu)于±0.2℃/0.2%，響應時間可達0.4μs，全畫面幀率高達130Hz，窗口模式可達4000Hz，配微距鏡頭物方分辨率可達3μm，適用于各種更高要求的成像和測溫需求。

F6非制冷長波紅外熱像儀 & -80℃測溫

F7制冷型中波熱像儀

六：鎖相紅外檢測

由于硅片具有良好的導熱性，一些微小缺陷導致的溫差極為微小，常規(guī)熱像儀無法觀測到。鎖相紅外成像技術通過周期性地調制信號，采集周期內不同時間點的紅外圖像，獲得幅值、相位等信息，信噪比相比相機本身有數(shù)量級的提高，可分析樣品內部的熱源位置和熱傳導特性。鎖相紅外成像的靈敏度大幅提高，溫度分辨率可達1mK，在半導體行業(yè)被廣泛用于芯片失效和材料缺陷分析，以及太陽能板缺陷（暗電流）檢測。通過鎖相熱圖，還可消除發(fā)射率引起的圖像對比，更好發(fā)現(xiàn)缺陷。巨哥科技的熱像儀、短波相機和其他產品均可支持鎖相技術，滿足嚴苛和高挑戰(zhàn)的應用需求。