硅鍺采用8英寸晶圓的標(biāo)準(zhǔn)CMOS制造流程，晶圓代工廠也在持續(xù)提高硅鍺工藝的性能。例如，GlobalFoundries最近推出的130nm硅鍺工藝，其工作頻率最高可達(dá)340GHz，比舊工藝提高了25%。此外，TowerJazz最近也推出了130nm硅鍺工藝。

與4G手機(jī)一樣，5G手機(jī)也需要功率放大器?！昂撩撞☉?yīng)用中，功率放大器將是系統(tǒng)功耗的決定性因素，”三星美國(guó)研究中心的主任工程師Jeffery Curtis說道，“毫米波系統(tǒng)中有現(xiàn)成的功率放大器可用，但現(xiàn)在的毫米波系統(tǒng)對(duì)于射頻前端的要求與移動(dòng)通信中的要求有很大區(qū)別。”

三星已經(jīng)為5G應(yīng)用開發(fā)了一款28GHz的集成了低噪聲放大器（LNA）和模擬開關(guān)的功率放大器。該器件使用0.15微米的GaAs工藝，“根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景，對(duì)PA和LNA進(jìn)行了特殊設(shè)計(jì)，我們把功耗降低了65%，”Curtis說，“將這些器件集成在一起減小尺寸，是把其應(yīng)用到手機(jī)的關(guān)鍵一步?！?/span>

除了GaAs，業(yè)界也在嘗試其他的三五價(jià)材料來制造PA，例如硅鍺?！芭c制造PA所使用的其他工藝相比，GaAs在效率、線性度和頻率范圍等方面都有優(yōu)勢(shì)，”Strategy Analytics分析師Eric Higham說，“與硅基工藝相比，GaAs工藝的缺點(diǎn)是成本比較高，不易集成?！?/span>

Higham表示，GaAs代工廠大部分還采用4英寸晶圓來生產(chǎn)，但是為了降低成本，很多廠商開始把產(chǎn)線升級(jí)到6英寸。