據(jù)中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所公布，該所研究員趙志剛課題組與蘇州大學耿鳳霞課題組合作證實，恰當?shù)卣{(diào)制半導體氧化物中的氧缺陷，可顯著提升其表面增強拉曼光譜（sers）性能。該發(fā)現(xiàn)突破常規(guī)sers技術中貴金屬基底的局限性，進一步拓寬了半導體氧化物作為基底材料在sers檢測中的應用范疇。相關結(jié)果發(fā)表在《自然通訊》上。
據(jù)了解，自上世紀70年代sers面世后，貴金屬基底的引入將拉曼檢測靈敏度提升了百萬倍，克服了傳統(tǒng)拉曼光譜與生俱來的信號微弱等缺點，使得拉曼檢測在食品安全、環(huán)境監(jiān)測、生命科學等領域得到廣泛應用，并迅速成長為最為靈敏的表面物種現(xiàn)場譜學檢測技術之一。
然而，sers僅在金、銀、銅等貴金屬的粗糙表面才具有高活性，基底的選擇十分有限；且實際應用中，金、銀、銅增強材料還易受其他物質(zhì)干擾，穩(wěn)定性差強人意。因此，探索新型、高性能的非金屬基底一直是sers技術中最重要的研究方向之一。
