日韩一级精品一区二区三区-天天在线视频免费公开-久草精品视频在线观看-日韩欧美一区二区三区自拍

 
當(dāng)前位置: 首頁(yè) » 技術(shù)方案 » 技術(shù)分析 » 正文

探頭關(guān)鍵因素對(duì)高頻暫態(tài)電壓測(cè)量精度影響分析


  來(lái)源: 電工技術(shù)學(xué)報(bào) 時(shí)間:2021-09-07 編輯:清風(fēng)
分享到:

?

文章摘要


本文選自電工技術(shù)學(xué)報(bào)2021年1月版第36卷第2期《電壓探頭對(duì)寬禁帶器件高頻暫態(tài)電壓精確測(cè)量的影響》一文。


上期為大家介紹了典型示波器電壓探頭電路原理。本期為大家介紹電壓探頭關(guān)鍵因素對(duì)高頻暫態(tài)電壓測(cè)量精度的影響分析。


電壓探頭關(guān)鍵因素對(duì)高頻暫態(tài)電壓測(cè)量精度的影響分析


3.1仿真電路


高頻暫態(tài)電壓由圖6a所示的雙脈沖測(cè)試電路產(chǎn)生,采用Saber軟件進(jìn)行電路仿真,仿真波形如圖6b所示。所用開(kāi)關(guān)器件為有開(kāi)爾文源的MOSFET,在各目標(biāo)信號(hào)中,VGs1為高共模電壓低壓差分信號(hào),VDs1為高共模電壓高壓差分信號(hào),VGs2為低共模電壓低壓差分信號(hào),VDS2為高壓對(duì)地信號(hào)。根據(jù)信號(hào)類(lèi)型,VGs1、VDs1和 VGs2需采用差分探頭測(cè)量,VDS2既可采用高阻無(wú)源探頭測(cè)量,也可采用差分探頭測(cè)量。當(dāng)開(kāi)關(guān)器件無(wú)開(kāi)爾文源時(shí),S2驅(qū)動(dòng)回路源端接地,VGs2也可采用高阻無(wú)源探頭或具有寬輸入范圍的有源單端探頭測(cè)量。



圖6. 雙脈沖測(cè)試電路及其仿真結(jié)果


3.2帶寬與上升時(shí)間


對(duì)于n個(gè)模塊級(jí)聯(lián)而成的線性時(shí)不變系統(tǒng),記各級(jí)階躍響應(yīng)的上升時(shí)間為tr,m,當(dāng)各級(jí)的階躍響應(yīng)皆為高斯函數(shù)(高斯響應(yīng))時(shí),系統(tǒng)的上升時(shí)間可表示為


(4)


當(dāng)各級(jí)階躍響應(yīng)有過(guò)沖現(xiàn)象且過(guò)沖幅度大約為階躍幅度的5%或10%時(shí),系統(tǒng)的上升時(shí)間將比式(4)給出的上升時(shí)間略短,系統(tǒng)的過(guò)沖幅度約為各級(jí)過(guò)沖幅度總和的二次方根。


考慮目標(biāo)信號(hào)、電壓探頭和示波器級(jí)聯(lián)形成的系統(tǒng),各級(jí)階躍響應(yīng)的上升時(shí)間依次記為 tr,sign、tr,probe、 tr,scope。其中后兩級(jí)組成的測(cè)量系統(tǒng)通過(guò)示波器的前端放大器相互隔離,使得這兩者的上升時(shí)間相互獨(dú)立,常用的電壓探頭和示波器一般具有高斯響應(yīng),由式(4)可得測(cè)量系統(tǒng)的上升時(shí)間為


(5)


進(jìn)一步地,假設(shè)目標(biāo)信號(hào)和電壓探頭的上升時(shí)間也相互獨(dú)立,則整個(gè)系統(tǒng)的上升時(shí)間,即示波器顯示波形的上升時(shí)間為


(6)


實(shí)際上,電壓探頭對(duì)目標(biāo)信號(hào)有負(fù)載效應(yīng),目標(biāo)信號(hào)的上升時(shí)間將因探頭的加入而改變。負(fù)載效應(yīng)模型如圖7所示。圖中,Vs為單位階躍信號(hào)源,Rs為信號(hào)源電阻,Cs為負(fù)載電容,Vsign為目標(biāo)信號(hào),Ri與Ci為電壓探頭的輸入阻抗。未施加探頭時(shí),由RC電路的階躍響應(yīng)函數(shù)易得目標(biāo)信號(hào)的上升時(shí)間tr,sign為2.2RsCs。同理,施加電壓探頭后,目標(biāo)信號(hào)的上升時(shí)間變?yōu)?.2(Rs//Ri)(Cs+Ci)。目標(biāo)信號(hào)上升時(shí)間因電壓探頭的負(fù)載效應(yīng)而變化的程度可表示為


(7)


圖7. 電壓探頭對(duì)目標(biāo)信號(hào)的負(fù)載效應(yīng)模型


開(kāi)關(guān)器件的柵源電壓和漏源電壓對(duì)應(yīng)的等效負(fù)載電容Cs可分別用器件的輸入電容和輸出電容近似,tr,sign可由數(shù)據(jù)表直接讀出,因此開(kāi)關(guān)器件等效信號(hào)源電阻Rs可表示為tr,sign/(2.2Cs),取現(xiàn)有商售SiC器件進(jìn)行估算,可得目標(biāo)信號(hào)的等效負(fù)載電阻約在100Ω的數(shù)量級(jí)上,而常用的高阻無(wú)源探頭和有源高壓差分探頭的輸入電阻數(shù)量級(jí)約為MΩ,于是,式(7)可近似為


(8)


關(guān)鍵詞:探頭 測(cè)量 示波器    瀏覽量:17583

聲明:凡本網(wǎng)注明"來(lái)源:儀商網(wǎng)"的所有作品,版權(quán)均屬于儀商網(wǎng),未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編使用。
經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用,并注明"來(lái)源:儀商網(wǎng)"。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它來(lái)源的作品,歸原版權(quán)所有人所有。目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類(lèi)作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。如有作品的內(nèi)容、版權(quán)以及其它問(wèn)題的,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載自其它媒體或授權(quán)刊載,如有作品內(nèi)容、版權(quán)以及其它問(wèn)題的,請(qǐng)聯(lián)系我們。相關(guān)合作、投稿、轉(zhuǎn)載授權(quán)等事宜,請(qǐng)聯(lián)系本網(wǎng)。
QQ:2268148259、3050252122。


讓制造業(yè)不缺測(cè)試測(cè)量工程師

最新發(fā)布
行業(yè)動(dòng)態(tài)
技術(shù)方案
國(guó)際資訊
儀商專(zhuān)題
按分類(lèi)瀏覽
Copyright ? 2023- 861718.com All rights reserved 版權(quán)所有 ?廣州德祿訊信息科技有限公司
本站轉(zhuǎn)載或引用文章涉及版權(quán)問(wèn)題請(qǐng)與我們聯(lián)系。電話:020-34224268 傳真: 020-34113782

粵公網(wǎng)安備 44010502000033號(hào)

粵ICP備16022018號(hào)-4