DSP內(nèi)嵌功耗管理模塊PSU(Power Scaling Unit)，支持多種功耗管理模式，通過(guò)軟件指令、外部中斷及SCU的控制，可根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景需求快速的在不同的功耗管理之間進(jìn)行切換，從而滿足系統(tǒng)待機(jī)、DRX周期、低速及全速運(yùn)行等場(chǎng)景下的功耗和性能要求。
芯片內(nèi)置高密度大容量的嵌入式存儲(chǔ)器eDRAM，eDRAM接口時(shí)序簡(jiǎn)單，讀寫延遲小,無(wú)需復(fù)雜的控制器,面積只有普通SRAM的1/3；另外相比于外置DDR的存儲(chǔ)方式，沒(méi)有IO的功耗損失，BOM成本也較低，故在性能、功耗和成本上都有很好的兼顧。在芯片設(shè)計(jì)時(shí)，考慮系統(tǒng)內(nèi)存帶寬的需求，采用兩組片內(nèi)eDRAM的方式，芯片內(nèi)的主設(shè)備如DSP，若其指令和數(shù)據(jù)分別存放在不同的eDRAM內(nèi)，則可并行讀取指令和數(shù)據(jù)，大大縮短了內(nèi)存訪問(wèn)延遲，提高了系統(tǒng)的性能。此外eDRAM提供了正常讀寫、Standby、Self Refresh和power down多種功耗模式，可根據(jù)系統(tǒng)場(chǎng)景來(lái)切換。
230 MHz頻段系統(tǒng)資源呈無(wú)規(guī)則、梳狀結(jié)構(gòu)，頻點(diǎn)分布離散。
芯片內(nèi)置高密度大容量的嵌入式存儲(chǔ)器eDRAM，eDRAM接口時(shí)序簡(jiǎn)單，讀寫延遲小,無(wú)需復(fù)雜的控制器,面積只有普通SRAM的1/3；另外相比于外置DDR的存儲(chǔ)方式，沒(méi)有IO的功耗損失，BOM成本也較低，故在性能、功耗和成本上都有很好的兼顧。在芯片設(shè)計(jì)時(shí)，考慮系統(tǒng)內(nèi)存帶寬的需求，采用兩組片內(nèi)eDRAM的方式，芯片內(nèi)的主設(shè)備如DSP，若其指令和數(shù)據(jù)分別存放在不同的eDRAM內(nèi)，則可并行讀取指令和數(shù)據(jù)，大大縮短了內(nèi)存訪問(wèn)延遲，提高了系統(tǒng)的性能。此外eDRAM提供了正常讀寫、Standby、Self Refresh和power down多種功耗模式，可根據(jù)系統(tǒng)場(chǎng)景來(lái)切換。
230 MHz頻段系統(tǒng)資源呈無(wú)規(guī)則、梳狀結(jié)構(gòu)，頻點(diǎn)分布離散。
