互補金屬氧化物半導體FET技術或助推電子產品變革在近期，由美國波音公司和通用汽車公司擁有的研發(fā)實驗室HRL正式宣布將首次展示其研發(fā)的互補金屬氧化物半導體FET技術。其實，該研究結果早在今年1月6日就被發(fā)表在了inieee電子器件快報上，但現在，它將被正式的展示。據悉，在這一過程中，該實驗室已經確定半導體卓越晶體管性能可以在集成電路中加以利用，這一突破為氮化鎵成為目前以硅為原材料的電源轉換電路的備選技術鋪平了道路。
在此之前，氧化鎵由于存在大量的寄生電感導致電壓不穩(wěn)定，使其在光電子方面的應用潛力并沒有被開發(fā)出來多少。而現在，HRL通過將電源開關及驅動電路集成在同一芯片上的方式，大大的減少了這一影響。
這項技術被應用在電子產品當中的話，將使功率集成電路能夠采用更小的尺寸，并以更低的成本實現更高效的電力管理，也能夠在更為惡劣的環(huán)境下工作。在此之前，由于在制造P溝道晶體管和N溝道晶體管的挑戰(zhàn)，氮化鎵CMOS集成電路曾被認為是困難或不可能的。而現在HRL已經通過自己的努力改變了這一切。
這項技術必將對電子產品帶來巨大的影響，甚至是具有革命性意義的影響。在未來，我們所使用的電子產品或許將因此具備更優(yōu)秀的性能和更廣的使用范圍。
