10 氮化鎵、碳化硅雷達投入服役。
2015年7月14日，加拿大國家研究委員會下屬一家圓晶加工廠已成功開發(fā)出高性能氮化鎵(GaN)半導體加工工藝；7月16日，全球單晶碳化硅(SiC)基底的領(lǐng)先制造商——II‐VI先進材料公司展示了在美國空軍研究實驗室(AFRL)數(shù)年的資助下取得的全球首個直徑200mm的SiC晶片；10月28日，GE航空公司宣布投資2億美元在亞拉巴馬州的亨茨維爾(Huntsville)建設兩個生產(chǎn)碳化硅(SiC)材料的工廠；8月26日，美國海軍陸戰(zhàn)隊授予諾格公司一項總額為920萬美元合同，在面向地/空任務(G/ATOR)雷達項目中引入氮化鎵器件；10月13日，雷神公司用GaN有源相控陣(AESA)替換“愛國者”雷達的主天線，完成了一系列里程碑節(jié)點，即將進入生產(chǎn)準備階段，這包括AESA主陣列結(jié)構(gòu)制造、AESA陣列雷達機箱制造、機箱內(nèi)集成接收機和雷達數(shù)字處理器、機箱于雷神公司試驗室進行測試以及完成雷達冷卻系統(tǒng)的測試。
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