考慮到STT-MRAM采用了大量的新材料、新結(jié)構(gòu)、新工藝，加工制備難度極大，現(xiàn)階段其基本原理還不夠完善，發(fā)明專利分散在各研究機構(gòu)、公司中，專利封鎖還未完全形成，正是國內(nèi)發(fā)展該項技術(shù)的最好時機。在北京市科委的大力支持下，北京航空航天大學(xué)與中科院微電子所的聯(lián)合研發(fā)團(tuán)隊經(jīng)過科研攻關(guān)，在STT-MRAM關(guān)鍵工藝技術(shù)研究上實現(xiàn)了重要突破，在國內(nèi)率先成功制備出直徑為80納米的“萬能存儲器”核心器件，器件性能良好，相關(guān)關(guān)鍵參數(shù)達(dá)到國際領(lǐng)先水平。該技術(shù)有望應(yīng)用于大型數(shù)據(jù)中心，用于降低功耗，還可用于各類移動設(shè)備，提高待機時間。
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