據(jù)消息，存儲器是電子系統(tǒng)的重要組成部分。目前絕大多數(shù)電子系統(tǒng)均采用寄存、主存加硬盤的存儲體系結(jié)構(gòu)。與之相對應，靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）、動態(tài)隨機存儲器（DRAM）、閃存（Flash）或硬盤（HDD）成為實現(xiàn)這三種存儲體系的傳統(tǒng)存儲技術(shù)。一臺電腦中，靜態(tài)隨機存儲器對應的是CPU內(nèi)的存儲器，其特點是速度快，但容量小；動態(tài)隨機存儲器對應的是電腦主板上的內(nèi)存條；閃存或者硬盤對應的就是電腦里的固態(tài)硬盤或者機械硬盤，其特點是速度慢，但容量大。前兩者屬于易失性存儲器，斷電數(shù)據(jù)就會丟失。而后者斷電數(shù)據(jù)不丟失。傳統(tǒng)的存儲方式中，數(shù)據(jù)需要分級存儲，同樣使用時也要分級調(diào)取。

隨著信息和納米加工技術(shù)高速發(fā)展，基于傳統(tǒng)存儲體系構(gòu)建的電子系統(tǒng)正面臨著巨大的挑戰(zhàn)。一方面新興的移動計算、云計算等和大型數(shù)據(jù)中心對數(shù)據(jù)提出極高要求，傳統(tǒng)的緩存及主存一旦斷電，關(guān)鍵數(shù)據(jù)就會發(fā)生丟失。因此，數(shù)據(jù)必須不斷備份到閃存或硬盤上，該過程嚴重影響了數(shù)據(jù)的訪存性能，我們打開頁面時，就會遭遇“卡頓”。

此外，大型數(shù)據(jù)中心的能耗不斷攀升，基于電池技術(shù)的物聯(lián)網(wǎng)及移動設(shè)備也因功耗問題被人詬病。手機待機功耗中，存儲是用電“大戶”。正因為數(shù)據(jù)需要分級存儲、分級調(diào)取，速度較慢，為讓用戶體驗較快的響應速度，數(shù)據(jù)一般存儲在靜態(tài)隨機存儲器和動態(tài)隨機存儲器上，斷電數(shù)據(jù)就會丟失，因此需要一直耗電。

改變這些，就需要新一代存儲器件，既具有接近靜態(tài)存儲器的納秒級讀寫速度，又具有閃存級別的容量和類似Flash的數(shù)據(jù)斷電不丟失存儲特性。自旋轉(zhuǎn)移矩-磁隨機存儲器（STT-MRAM）就是一種接近“萬能存儲器”要求的極具應用潛力的下一代新型存儲器解決方案。STT-MRAM由于其數(shù)據(jù)以磁狀態(tài)存儲，具有天然的抗輻照、高可靠性以及幾乎無限次的讀寫次數(shù)，已被美日韓等國列為最具應用前景的下一代存儲器之一。

目前，美日韓等國在相關(guān)技術(shù)上都已有突破，很可能在繼硬盤、DRAM及Flash等存儲芯片之后再次實現(xiàn)對我國100%的壟斷。