Conrad和同事們通過外延生長生成半導(dǎo)體石墨烯的方法并不是全新的。在2006年，加州大學伯克利分校(the University of California in Berkeley)一個由Alessandra Lanzara領(lǐng)導(dǎo)的團隊研究了在碳化硅上外延生長的第二層石墨烯，并報道了其0.26eV的帶隙。Conrad說他們團隊的工作的主要區(qū)別在于生長技術(shù)的改進。“事實證明，要得到這個帶隙，結(jié)晶順序是非常重要的，而他們并不知道。”他解釋說。
當Conrad和同事們嘗試在僅僅低于他們常用溫度20℃的溫度下制造石墨烯，帶隙就不存在了。Conrad用硅電子學發(fā)展初期來比喻這樣的進展，“如果你回到20世紀60年代硅晶體管的初期，關(guān)鍵在于尋找不可思議的高度有序的晶體。”他說。在這個階段，碳化硅晶片的高昂價格并不重要，他補充道。“第一個出售的硅晶體管售價為1500美元。重點是，你要先造出設(shè)備，然后才考慮費用。”
Conrad宣稱，喬治亞理工學院的同事已經(jīng)使用了他的半導(dǎo)體石墨烯來制造晶體管，開關(guān)電流比可以達到100萬比1——這是正規(guī)電子產(chǎn)品要求的十倍。“所以，它開始變得能用了。”他說。
