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石墨烯材料技術(shù)再突破:可用來制造晶體管


  來源: 儀器儀表商情網(wǎng) 時間:2015-10-31 作者:Stanford
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儀器儀表商情網(wǎng)訊:墨烯因為不具有半導體的性質(zhì)而無法用來制造晶體管,現(xiàn)在科學家找到了克服困難的辦法。石墨烯,即以蜂窩狀晶格排列的單層碳原子,具備一系列出色的性質(zhì)。自從石墨烯2003年被發(fā)現(xiàn)以來,研究者發(fā)現(xiàn)它具有優(yōu)異的強度、導熱性和導電性。最后一種性質(zhì)使得這種材料非常適合用來制作電路中的微小接觸點,但最理想是用石墨烯自己制成電子元件——特別是晶體管。


要做到這點,墨烯不僅需要充當導體,也要有半導體的功能,這是電子元件需要進行的通斷切換操作的關(guān)鍵。半導體由其帶隙所定義的,帶隙指的是激發(fā)一個電子,讓它從不能導電的價帶躍遷到可以導電的導帶所需要的能量。帶隙必須足夠大,這樣來使得晶體管開和關(guān)之間的狀態(tài)才對比明顯,這樣它才能準確無誤地處理信息。

常規(guī)的石墨烯是沒有帶隙的——它特殊的波紋狀價帶和導帶實際上是連在一起的,這使得它更像是金屬。盡管如此,科學家們試圖分開這兩個帶。通過把石墨烯制造成奇特的形狀,如帶狀,目前最高可以讓帶隙達到100meV,但這對電子工程應用來說還是太小了。

美國佐治亞理工學院的Edward Conrad和同事們通過外延生長制造了他們的石墨烯。這種方法要把碳化硅襯底被加熱到1360 ℃,使它開始分解并形成石墨烯層。研究者發(fā)現(xiàn),石墨烯層的第一層,通常被稱為緩沖層,由于其與碳化硅襯底高度周期性的結(jié)合方式,形成了大于0.5eV的帶隙。

沒有參與這項工作的德國康斯坦茨大學(the University of Konstanz)的物理學家Guido Burkard說,這幾乎,雖然還沒有像普通半導體的帶隙那樣大了。以這種方法制造的石墨烯是否具備與以往的石墨烯樣品同樣出色的電子性質(zhì)還有待觀察,他補充道,但這個研究結(jié)果肯定是非常有前途的。

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