圖4b. 負(fù)載中釋放的能量

漏電電感和走線電感（極性如圖2所示）導(dǎo)致的電壓尖峰由有 源鉗位吸收器吸收。有源吸收器開關(guān)可以在寄生二極管開啟后 在ZVS時(shí)打開。然而，當(dāng)有源鉗位吸收器開啟時(shí)，吸收器電容會 吸收反向恢復(fù)電流并把捕獲的能量重新注入副橋和負(fù)載中。由 于通過吸收器電容的凈電流為零，所以只要轉(zhuǎn)換器工作于穩(wěn)態(tài) 下，吸收器就會維持電荷平衡。

設(shè)計(jì)指南

1. 估算漏電電感

讓轉(zhuǎn)換器在無吸收器的條件下工作，測量同步MOSFET漏極上振 鈴電壓尖峰的諧振頻率和周期(f1)。另外，測量原邊電流波形上 的前沿尖峰（應(yīng)等于trr）。要估算漏電電感，要使電容的已知 值(C2)至少比MOSFET漏極/源極電容大一個(gè)數(shù)量級。用下式測量 振鈴頻率(f2)，計(jì)算電容(COSS)和漏電(LLK)電感：

2. 選擇有源鉗位吸收器電容

選擇一個(gè)輸出電容至少為同步MOSFET輸出電容10至100倍的吸 收器電容。這是因?yàn)橛性次掌鏖_關(guān)會有一條低阻抗路徑。然 而，吸收器電容的選擇必須做到：

其中，Ts為開關(guān)周期。

在下列最小延遲條件下打開有源鉗位吸收器：

這兩項(xiàng)為驅(qū)動(dòng)器的傳播延遲和原邊MOSFET的驅(qū)動(dòng)信號上升時(shí) 間。這個(gè)時(shí)序非常重要，因?yàn)楸仨毑东@MOSFET體二極管的全部 反向恢復(fù)能量。該時(shí)間取決于同步MOSFET體二極管的反向恢復(fù) 特性（Qrr、trr、Irr），可能隨器件上的溫度、負(fù)載電流和反向電 壓等因素而變化。延遲時(shí)間和吸收器導(dǎo)通時(shí)間可以用本文所述 方法精確設(shè)置以針對不同的開關(guān)特性進(jìn)行優(yōu)化。

確定鉗位電容值的另一種方法是使用以下公式。該公式基于諧 振周期，在此期間，將漏電電能釋放到鉗位電容中。

該值的范圍為：

為了避免在第1點(diǎn)上觀察到過多的振鈴，導(dǎo)通時(shí)間應(yīng)不超過一個(gè) 或兩個(gè)諧振周期，否則，會出現(xiàn)過多的連續(xù)振鈴?；蛘?，吸收 器的導(dǎo)通時(shí)間可以取上面第1點(diǎn)中觀察到的前沿尖峰的導(dǎo)通時(shí)間 的近似值（如trr）。過多的導(dǎo)通時(shí)間只是會導(dǎo)致能量再諧振幾 個(gè)周期，可以在原邊電流波形中看到這一點(diǎn)（圖8和圖9）。

3. 選擇吸收器開關(guān)

(1)的一個(gè)簡化版本是使用MOSFET數(shù)據(jù)手冊中的最差條件限值。 以下公式更加詳細(xì)地展現(xiàn)了電容中電流的情況：