圖9. 優(yōu)化的吸收器時序
圖10所示為同步MOSFET在有源鉗位吸收器不存在條件下的漏 極電壓。電壓偏移可能非常嚴重，達穩(wěn)態(tài)電壓的1.5倍，并且 MOSFET有可能進入雪崩條件。
圖10. 不存在有源鉗位吸收器
圖11所示為有源鉗位吸收器的有效性。前沿尖峰被完全消除， MOSFET漏極上無振鈴。
圖11. 存在有源鉗位吸收器
圖12. 0 A負載條件下的吸收器有效性
綠線：SR漏極，10 V/div
藍線：鉗位FET柵極-源極電壓，5 V/div
黃線：負載電流，10 A/div
圖13. 20 A負載條件下的吸收器有效性
綠線：SR漏極，10 V/div
藍線：鉗位FET柵極-源極電壓，5 V/div
黃線：負載電流，10 A/div
半橋拓撲結(jié)構(gòu)的實驗結(jié)果
對半橋拓撲結(jié)構(gòu)進行了額外的實驗驗證，額定輸入為48 V，額 定輸出為9 V、200 W，開關頻率為180 kHz。
圖14. 有源鉗位吸收器禁用
紅線：SR1漏極，5 V/div
藍線：SR2漏極；5 V/div
綠線：吸收器PWM，5 V/div
圖15. 有源鉗位吸收器使能
紅線：SR1漏極，5 V/div
藍線：SR2漏極；5 V/div
綠線：吸收器PWM，5 V/div
