中科院上海技術物理所研究員黃志明和褚君浩院士等在研究太赫茲與窄禁帶半導體相互作用時，發(fā)現了一種新型光電效應。他們進一步將該效應用于太赫茲波的探測，成功研制了高靈敏度太赫茲室溫探測器，證明了通過光子的波動性在器件結構中產生的奇異光電效應，可以實現室溫下高靈敏度太赫茲探測 ，從而為太赫茲技術的廣泛應用提供了可能。相關研究成果(兩篇)近日連續(xù)發(fā)表于《先進材料》 。
研究人員發(fā)現當太赫茲光入射到包裹的金屬—半導體—金屬器件結構上時，如果滿足太赫茲波長遠大于器件尺寸條件，將在器件結構中激發(fā)反對稱電磁波，在半導體中形成電磁波誘導勢阱，驅動位于金屬中的電子發(fā)射到位于半導體的誘導阱中，導致半導體材料的電導率發(fā)生改變，從而實現太赫茲波段的探測。理論和實驗分析表明：該光電效應的光電轉換效果非常明顯，因而能實現高靈敏度的太赫茲探測。研究人員成功實現高靈敏度、低噪聲等效功率、快速和寬波段響應的太赫茲探測器件。
專家認為，該項研究工作為太赫茲探測技術的突破提供了重要理論和技術。
