在Memory Designer中，只需要一張原理圖便可以分別進(jìn)行通道和瞬態(tài)仿真。而由于總線形式的使用，則將傳統(tǒng)設(shè)置方法所需的數(shù)小時，縮減至數(shù)分鐘，同時也減小了設(shè)置錯誤的風(fēng)險。

此外，Memory Designer中的DDR BUS仿真器，可以根據(jù)信號的上升與下降，使用對應(yīng)的階躍響應(yīng)，獲得正確的波形。如下圖所示，DDR BUS仿真器在上升沿與下降沿不對稱的情況下，有很高的精確度。

另一方面，基于Keysight成熟的通道仿真算法，DDR BUS仿真器可以根據(jù)AMI模型中的均衡算法，對信號進(jìn)行均衡，同時可以準(zhǔn)確預(yù)測在低誤碼率情況下的抖動對信號的影響。在下圖中也可以發(fā)現(xiàn)，當(dāng)DQ與DQS存在時間差時，會造成眼圖的偏移。

05 ADS DDR5仿真實(shí)例

圖中顯示了在ADS Memory Designer環(huán)境中DDR5基本的仿真結(jié)構(gòu)，所有信號以總線形式連接，設(shè)置過程只需要短短幾分鐘。其中控制器和內(nèi)存模塊都使用了IBIS-AMI模型，并且允許對AMI模型中的參數(shù)進(jìn)行編輯。

圖中顯示了DDR5在ADS Memory Designer 中的仿真結(jié)果?？梢园l(fā)現(xiàn)，經(jīng)過AMI模型中均衡算法處理的DQ信號，眼圖張開程度明顯增加。