在2021年第四季度財報會上，意法半導(dǎo)體表示，目前公司積壓的訂單能見度為18個月左右，遠(yuǎn)高于ST目前及已經(jīng)規(guī)劃的2022年產(chǎn)能。而且今年的車用芯片產(chǎn)能已經(jīng)銷售一空。今年意法半導(dǎo)體的資本支出計劃將達(dá)到約34億至36億美元，較2021年的18億元投資增加近一倍，主要用于進(jìn)一步提高產(chǎn)能，其中包括在意大利Agrate 12英寸新晶圓廠建設(shè)第一條生產(chǎn)線。

2021年7月，意法半導(dǎo)體宣布，其瑞典北雪平工廠制造出首批200mm (8英寸)碳化硅(SiC)晶圓片，這些晶圓將用于生產(chǎn)下一代電力電子芯片的產(chǎn)品原型。據(jù)意法半導(dǎo)體所稱，與 150mm晶圓相比，200mm晶圓可增加產(chǎn)能，將制造集成電路可用面積幾乎擴(kuò)大1 倍，合格芯片產(chǎn)量是150mm晶圓的1.8 -1.9倍。

恩智浦封測廠投產(chǎn)

2021年9月，恩智浦半導(dǎo)體（天津）集成電路測試中心一期改造項目竣工投產(chǎn)，該中心主要進(jìn)行封裝測試。該封測公司是2015年恩智浦從飛思卡爾手中收購得來，經(jīng)過多年的發(fā)展，其封裝測試工廠生產(chǎn)能力已接近飽和，沒有足夠的生產(chǎn)空間來進(jìn)一步引進(jìn)新的生產(chǎn)設(shè)備，形成工廠的產(chǎn)能規(guī)模，承接未來新產(chǎn)品的生產(chǎn)。

除此之外，去年中旬，據(jù)國外媒體報道，芯片代工廠商聯(lián)華電子宣布將于全球多家客戶攜手，擴(kuò)充12A廠產(chǎn)能，參與的客戶將以議定價格預(yù)先支付訂金，確保獲得擴(kuò)充后的長期產(chǎn)能。其中，恩智浦已同聯(lián)華電子達(dá)成6年芯片代工協(xié)議。

安森美發(fā)力新策略

去年，安森美改名，確立了公司的新戰(zhàn)略：智能電源和智能感知。由傳統(tǒng)IDM模式向更加靈活的Fab-Liter模式轉(zhuǎn)型，將采取更加靈活的制造路線和策略，未來會退出規(guī)模不足的晶圓廠、聚焦300mm晶圓產(chǎn)能，并將提高通用封裝后端廠的靈活性。

2021年Q2的財報顯示，安森美營收的6%用作了資本投入。安森美表示，未來兩年將加大投資力度，由6%增加到12%，主要用于擴(kuò)產(chǎn)300mm晶圓廠的產(chǎn)能，再一個是加強(qiáng)SiC供應(yīng)鏈環(huán)節(jié)，包括基板沉底等最終產(chǎn)品，以及封裝。而在2021年第四季度財報電話會議上，安森美表示，計劃到2022年將其基板業(yè)務(wù)產(chǎn)能增加四倍以上，并打算進(jìn)行大量投資以擴(kuò)大其設(shè)備和模塊產(chǎn)能。到2022年，安森美預(yù)計其碳化硅收入將同比增長一倍以上。

此外，去年8月，安森美宣布以4.15億美元現(xiàn)金收購SiC生產(chǎn)商GT Advanced Technologies，并計劃投資擴(kuò)大GTAT的研發(fā)工作，以推進(jìn)150mm和200mm SiC晶體生長技術(shù)。

Microchip 4000萬美元升級工廠

2022年1月，Microchip宣布計劃斥資4000萬美元用新技術(shù)改造其科羅拉多斯普林斯半導(dǎo)體工廠，這將在未來六個月內(nèi)增加50至75 名員工，它將為工廠購置安裝新設(shè)備，由原本6英寸晶圓轉(zhuǎn)向8英寸晶圓的生產(chǎn)，這將使其可以生產(chǎn)的芯片數(shù)量幾乎翻倍。公司計劃在未來六個月內(nèi)繼續(xù)招聘超過 50-75人，并在未來兩到五年內(nèi)進(jìn)行另一階段的擴(kuò)張。

瑞薩車載MCU產(chǎn)能提高50%

瑞薩是世界車規(guī)級半導(dǎo)體龍頭，在車用MCU領(lǐng)域掌握全球兩成份額。2021年9月29日，瑞薩電子在經(jīng)營說明會上透露，計劃到2023年將車載MCU產(chǎn)能提高50%以上（較2021年），同時將提高設(shè)備投資金額，預(yù)計到2021年將超過800億日元，到2022年將在600億日元左右，該公司目前的設(shè)備投資金額約200億日元。

東芝投入5700億日元

2022年2月8日，東芝召開了關(guān)于兩家公司分拆后可能的經(jīng)營戰(zhàn)略的簡報會。會議中指出，為了應(yīng)對全球半導(dǎo)體供應(yīng)短缺和存儲需求擴(kuò)大的措施，將促進(jìn)產(chǎn)能擴(kuò)大和穩(wěn)定采購網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)，東芝將在5年內(nèi)投入5700億日元進(jìn)行資本投資和研發(fā)。

產(chǎn)能方面，2021年至2025年將投資約2600億日元。主要投資包括功率半導(dǎo)體用200mm線的擴(kuò)建、2022 年2月4日宣布的日本石川縣新建300mm線的建設(shè)、現(xiàn)有建筑物的運(yùn)營推進(jìn)、化合物半導(dǎo)體用200mm線的開發(fā)計劃。此外，東芝還計劃在菲律賓基地增加近線硬盤的產(chǎn)量，在中國建立硬盤基地，并擴(kuò)大其橫濱工廠的半導(dǎo)體制造設(shè)備制造空間。

在構(gòu)建穩(wěn)定的采購網(wǎng)絡(luò)方面，東芝強(qiáng)調(diào)，半導(dǎo)體80%的材料都簽訂了長期合同，多方采購比例提高到70%以上。

到2025年，研發(fā)費(fèi)用計劃約為3100億日元。主要在半導(dǎo)體、HDD和半導(dǎo)體制造設(shè)備三大業(yè)務(wù)上加大研發(fā)。

在半導(dǎo)體領(lǐng)域，東芝的整個半導(dǎo)體業(yè)務(wù)目標(biāo)是將銷售額從預(yù)計在 2021年的3200億日元增加到 2025年的3700 億日元。東芝計劃專注于車載和工業(yè)應(yīng)用的功率半導(dǎo)體，在重點關(guān)注的功率 MOSFET方面，東芝計劃到2025年從第四的全球份額升到第三。

其中，僅功率半導(dǎo)體的研發(fā)，計劃在五年內(nèi)投資1000億日元，用來擴(kuò)大硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品陣容、開發(fā)高效封裝、加速開發(fā)SiC和GaN產(chǎn)品等。公司目前主打的硅功率MOSFET是第8代，第9代導(dǎo)通電阻降低15%，第10代比8代降低了30%，正在開發(fā)第11代，比第8代導(dǎo)通電阻降低了40%，并且將在2023 年之前將硅功率 MOSFET產(chǎn)品數(shù)量翻一番。公司車載硅IGBT目前正在量產(chǎn)耐壓750V和1.2kV的產(chǎn)品，為了提高逆變器特性，2022年開始量產(chǎn)集成二極管和IGBT的新產(chǎn)品。第二代二極管集成產(chǎn)品將在300mm線上生產(chǎn)，2026年開始量產(chǎn)。