同時東芝計劃在2024年量產(chǎn)車載充電器用SiC MOSFET產(chǎn)品。在GaN器件的研發(fā)上，東芝計劃在2023年開始提供結(jié)合GaN和硅功率MOSFET的產(chǎn)品。據(jù)說與硅器件相比，該產(chǎn)品可將損耗減少一半。據(jù)悉，東芝的僅用GaN實現(xiàn)高速開關(guān)，電源單元體積比硅縮小約60%的第二代產(chǎn)品正在開發(fā)中。

另一項加大研發(fā)的業(yè)務是近線硬盤HDD，開發(fā)新HDD型號，該業(yè)務市場對數(shù)據(jù)中心/云服務提供商的需求正在擴大，預計2021年至2030年的復合年增長率將達到 22%。東芝計劃在2023年完成一臺30T字節(jié)的機器，目標是未來35TB以上的記錄容量。

再就是在半導體制造設備上的布局，東芝將專注于電子束掩模光刻設備和外延生長設備。據(jù)悉，東芝的NuFlare Technology作為單束機中20納米以下先進節(jié)點的電子束掩模光刻系統(tǒng)擁有100%的市場份額。多光束機“MBM-2000”于2021年交付給客戶，計劃到2023年占據(jù)50%的市場份額。此外，東芝正在開發(fā)一種新的電子源，以獲得更高的電流和更高的亮度，用于支持2nm，希望在2023年底前開始出貨，以滿足客戶的發(fā)展路線圖。

在外延生長設備方面，東芝預計市場增長將受到xEV、下一代通信標準中使用的SiC、GaN功率半導體的快速增長以及直徑增加到200 mm晶圓的推動。該公司的SiC和GaN外延生長設備是一種獨特的方法，使氣體垂直向下均勻地流向反應器中高速旋轉(zhuǎn)的晶片，具有低缺陷密度、高均勻性和在薄膜上高速成膜的特點表面。

寫在最后

當下的供應短缺沒有短期解決辦法，而穩(wěn)定的晶圓產(chǎn)能供應無疑是模擬芯片廠商接下來的競爭點。但擴張之后，在某個時間點，他們產(chǎn)品會太多，如果短缺或漲價的周期在某個時候結(jié)束，模擬芯片廠商們也應當要為此做好準備。